今天给各位分享 5N60场管参数,可以用什么管子代用? 的知识，其中也会对 请教场效应管的简单接法 进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在开始吧！

5n60是场效应晶体管，属于n沟道场效应三极管。参数为5A/600V。这种场效应晶体管最容易买到，可以用6n60\8n60替换。

FQPF5N60C电源场效应管可以代换的型号如下：5N60、K3115、K2141、K2545、K3878、K2645、7N60B、10N60。FQPF5N60C场效应管参数：600V 4.5A 33W .外形封装图即电路图符号如图：

5N60C三极管、场效应管参数：5N60是5A600V耐压 。用K3878、K2645、7N60B、10N60替代

5N60是N沟道场效应三极管：电流5A，电压600V。很常用的管子，可以用6N60、或8N60代换。

可以代换的K3562 是6a600v,5n60 是5a600,代换没有问题

②、7N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：7A//T0-220封装//。③、向那5N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：5A//T0-220封装//。④、关于以上三种型号的场效应管均不可以互换，原

5N60可以用4n60去替代。1、三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。2、晶体三极管，是半导体基本元器

5N60场管参数,可以用什么管子代用? 用万用表判断场效应管好坏的方法：1、用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别

碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终测zhi量结果在500mV左右，如果有短路现象，可以把三个脚用表笔金属部分短接一下，继续再测，如果读数在500mV也算正常。5n60场效应管, N沟道形，600V4.5A参数, 可以用6N60 7N60

用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终测量结果在500mV左右，如果有短路现象，可以把三个脚用表笔金属部分短接一下，继续再测，如果读数在500mV也算正常。5n60场效应管, N沟道形，600V4.5A参数, 可以用

方法一 将指针式万用表拨至“rx1k”档，并电调零。场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：g（栅极），d（漏极），s（源极）。将黑表笔接在d极，红表笔接在s极上，此时，万用表指针应不动；然后再对换

一、定性判断场效应管的好坏 先用万用表r×10kω挡(内置有15v电池),把负表笔(黑)接栅极(g),正表笔(红)接源极(s).给 栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转.再改用万用表r×1ω挡,将负表笔接漏极 (d)

1、用测电阻法判别结型场效应管的电极。根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极；2、用测电阻法判别场效应管的好坏。测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与

数字万用表如何测GFP5n60场效应管好坏?用何型好替换? 以及此管管脚的分布。 一、指代不同：将两个p区的引出线连在一起作为一个电极,称为栅极,在N型硅片两端各引出一个电极,分别称为源极和漏极,很薄的N区称为导电沟道。 若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）

MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）通常具有三个引脚，它们是栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。这些引脚的区分方法通常如下：栅极（Gate）：栅极是MOS管的控制引脚，用于施加控制电压以控制MOS管的导通和截止。

3、场效应管字朝人放正，G-D-S排列。第一个是G栅极，第二个是D漏极，第三个是S源极。5N60是N沟道MOS场效应管，G栅极与DS两极不通（绝缘，耐压小于30V）。DS之间有一个寄生二极管（S→D）。

第一个是G栅极，第二个是D漏极，第三个是S源极。5N60是N沟道MOS场效应管，G栅极与DS两极不通（绝缘，耐压小于30V）。DS之间有一个寄生二极管（S→D）。

GFP5N60场效应管的引脚哪个是源栅漏极 4.跨导大小的判别：对于N沟道的场效应管，用红表笔接S极（源极）黑表笔接D极（漏极），万用表读数应较大，这时若用100K电阻一端先按D极（漏极），再碰G极（栅极），万用表读数就会发生变化，变化越明显，说明该场

中的漏极d对应640场效应管实物图（如果所示2）的中间的管脚；640场效应管原理图（如图1所示）中的源极s对应640场效应管实物图（如果所示2）中最右边的管脚。图1：640场效应管原理图 图2：640场效应管实物图

下面简要说明。场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型（上图）和P沟道型（下图），如下面图所示，一般使用N沟道型可带来便捷性。N沟道MOSFET管用法】：（栅极G高电平D与S 间

详情请查看视频回答

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）

基极,发射极,极电极

谁能帮我看看电路图上场效应管的三个引脚分别是什么?很简单的问题。 1、在各管输入端串接一个8欧左右的小电阻,然后并连在一起接到IN(信号输入端)2、S极的小电阻可以不要 3、将各管D极并连后接负载。场效应管是正温度系数元件，能够自动均衡电流，因此多管并联扩流是可以不加均衡电阻

对于MOSFET型场效应管来说，他有三个电极，即栅极G（控制）、漏极D和源极S（被控制），对于N沟道的（就是箭头指向栅极的内个）D、G接高电平（+），S接低电平（-），D、S导通（VGS要大于夹断电压，约为1V左右，根

1、将电烙铁外壳接地，或使用带PE线的电烙铁；2、电烙铁加热后断开电源焊接；3、将场效应管的引脚用细铜丝缠绕起来，焊接完成后再拆去铜丝；4、先焊接PCB上的其它元件，最后焊接场效应管、集成电路等。

N型的增强型MOS管，驱动电路接栅极G，注意是电压驱动型，查看芯片手册 看驱动方式，源极S可接负载或者地，漏极D接电源或者负载 P型的S和D相反

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）

场效应管有共源、共漏接法（与晶体管放大电路共射、共集接法相对应）。栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。当栅极/基极(G)电压大于

请教场效应管的简单接法 给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的 。判断结型场效应管的电极 将万用表拨至R×100档

用万能表检测mos管好坏的方法：将万用表两个表笔分别搭接在其他两个极：给B极与任意一个极接一个10千欧姆电阻，电阻先不要接上，把表笔分别放在两级，电阻这时再接触，指针摆动越大证明该管子放大系数就越大，也就是说

用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例。一、先确定MOS管的引脚：1、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；1、首先找出场效应管的D极（漏极）。对于TO-252、TO-220这类封装的带有散热片的场

测电阻法检测MOS管是用万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，

万用表检测MOS管好坏的简便方法 1.用黑表笔接在D极上，红表笔接在S极上，一般有一个500-600的阻值 2.在黑表笔不动的前提下，用红表笔点一下G极，然后再用红表笔测S极，就会出现导通 3.红表笔接D极，黑表笔点一

若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。4.用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。对于N沟道MOS场效应管充电时，红表笔应接管子的G极

详情请查看视频回答

如何用万用表检测MOS管是好是坏? MOS管导通前后有什么区别？怎么用万用表检测MOS管的好坏？和三极管方法一样吗？

MOS管导通前后有什么区别？怎么用万用表检测MOS管的好坏？和三极管方法一样吗？

举例说明，左图为N沟道场效应管（型号IRF630），右图为P沟道场效应管（型号IRF9640），电源电压12V，如下图图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值，从图中可以了解场效应管做开关电路的接法。

场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型和P沟道型，一般使用N沟道型可带来便捷性。

1，N沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间导通，栅极G低电平D与S间截止，P沟道与之相反）栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。

当栅极/基极(G)电压大于MOSFET管开启电压（通常为1.2V），源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载负极被连通负载电源负极，负载工作。

当栅极/基极(G)电压小于MOSFET管开启电压时，源极(S)到漏极(D)电阻极大，可以认为源极(S)到漏极(D)断路，则负载负极被负载电源正极拉高，负载不工作。

这样，只要控制MOSFET的栅极/基极(G)电压有无，即可控制负载的工作与不工作，形成一个开关效应。MOSFET管的开关时间非常快，一般在纳秒极，就认为是瞬间开启/关闭就可以了，在MOSFET管内部是没有延迟的。

扩展资料：工作原理：

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。

从门极向漏极扩展的过渡层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过渡层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

从门极向漏极扩展的过渡层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。

参考资料：百度百科-场效应管

举例说明，左图为N沟道场效应管（型号IRF630），右图为P沟道场效应管（型号IRF9640），电源电压12V，具体到你这个电路中，图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值，从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法。

场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型（上图）和P沟道型（下图），如下面图所示，一般使用N沟道型可带来便捷性。

1，N沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间导通，栅极G低电平D与S间截止，P沟道与之相反）

栅极/基极(G)接控制信号，

源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。

当栅极/基极(G)电压大于MOSFET管开启电压（通常为1.2V），源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载负极被连通负载电源负极，负载工作。

当栅极/基极(G)电压小于MOSFET管开启电压时，源极(S)到漏极(D)电阻极大，可以认为源极(S)到漏极(D)断路，则负载负极被负载电源正极拉高，负载不工作。

这样，我们只要控制MOSFET的栅极/基极(G)电压有无，即可控制负载的工作与不工作，形成一个开关效应。MOSFET管的开关时间非常快，一般在纳秒极，你就认为是瞬间开启/关闭就可以了，在MOSFET管内部是没有延迟的。

由于MOSFET管的快速开关特性，使用高频PWM方波信号对其栅极/基极(G)进行控制，可以在输出端获得超高速切换的平均电压，这个平均电压取决于PWM波的占空比。这就是UBEC或者电调等模型设备的降压和调速原理。这种高频开关降压方法几乎没有能量损失，效率一般在95%以上。

2，P沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间截止，栅极G低电平D与S间导通）

栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源正极，漏极(D)接负载输入正极，负载输出负极直接接负载电源负极（模拟地）。

当栅极/基极(G)电压小于源极(S)电压（负载电源电压）1.2V以上时，源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。

这样负载正极被连通负载电源正极，负载工作。当栅极/基极(G)电压小于源极(S)电压（负载电源电压）不足1.2V，或栅极/基极(G)电压大于等于源极(S)电压时，源极(S)到漏极(D)电阻极大，可以认为源极(S)到漏极(D)断路，则负载不工作。

MOSFET场效应管做为快速开关元件的用法就简单说到这里，复杂理论咱不说它，知道怎么用就行了。如果仅仅是作为电子开关使用，也可以简单用三极管代替MOSFET管，只不过三极管的效率、开关速度、开关可靠性远不如MOSFET管。

扩展资料

工作原理

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过渡层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。

其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

参考资料来源：百度百科-场效应管

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。

无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。

拓展资料：无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。

场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。

这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

二极管学名叫快速反应二极管，起保护IGBT作用。听描述应该是变频器的多相驱动电路。一）结型场效应管

1）P沟道结型场效应管可以当作NPN型晶体管来测量。判断极性时，用三用表电阻档RX100档，分别将黑表笔与三个电极接触，用红表笔与另外两的电及接触，当连续出现两个低电阻时，黑表笔接触的就是栅极，另外两个是源极和漏极，源漏两极可以互相交换，不必区别。

2）N沟道结型场效应管可以当作PNP型场效应管来测量。判断极性的方法与上述相同，只是表笔的颜色对调即可。

二）绝缘栅场效应管

一般来讲，绝缘栅场效应管不建议用测量的方法判断极性，或者干脆说，绝缘栅场效应管禁止用测量的方法判断极性，因为栅漏耐压太低，极易击穿损坏。极性的判断只能查手册，或查资料。如何使用万用表来判断场效应管的好坏？不会的朋友可以来看看

如何使用万用表来判断场效应管的好坏？不会的朋友可以来看看

5N60场管参数,可以用什么管子代用? 的介绍就聊到这里吧，感谢你花时间阅读本站内容，更多关于 请教场效应管的简单接法 、 5N60场管参数,可以用什么管子代用? 的信息别忘了在本站进行查找喔。

标签: 5N60场管参数,可以用什么管子代用? 请教场效应管的简单接法